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部品番号(s) : HY51V18163HG-5 HY51V18163HG-6 HY51V18163HG-7 HY51VS18163HG-5 HY51VS18163HG-6 HY51VS18163HG-7
Hynix Semiconductor
コンポーネント説明 : 1M x 16Bit EDO DRAM
Hynix Semiconductor
コンポーネント説明 : 1M x 16Bit EDO DRAM
Siemens AG
コンポーネント説明 : 3.3V 1M × 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module
Unspecified
コンポーネント説明 : Fast Page Mode CMOS 1M x 16Bit Dynamic RAM
Hynix Semiconductor
コンポーネント説明 : 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
Hynix Semiconductor
コンポーネント説明 : 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
Hynix Semiconductor
コンポーネント説明 : 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
部品番号(s) : GLT40516-10E GLT40516-10E-30
G-Link Technology
コンポーネント説明 : 32k x 16 Embedded EDO DRAM
Siemens AG
コンポーネント説明 : 3.3V 2M × 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module
部品番号(s) : GLT41016-10E
G-Link Technology
コンポーネント説明 : 64k x 16 Embedded EDO DRAM
Taiwan Memory Technology
コンポーネント説明 : 1M x 16 SDRAM 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
Taiwan Memory Technology
コンポーネント説明 : 1M x 16 SDRAM 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
Hanbit Electronics Co.,Ltd
コンポーネント説明 : 4Mbyte(1Mx32) EDO Mode, 1K Refresh, 72Pin SIMM, 5V Design
Taiwan Memory Technology
コンポーネント説明 : 1M x 16 SDRAM 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
部品番号(s) : T431616D-5SC T431616D-6SC T431616E-7SC
Taiwan Memory Technology
コンポーネント説明 : 1M x 16 SDRAM 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
Taiwan Memory Technology
コンポーネント説明 : 1M x 16 SDRAM 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
Siemens AG
コンポーネント説明 : 3.3V 4M × 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module
AMIC Technology
コンポーネント説明 : 16M(1M x 16Bit) Normal mode & Page mode Static Random Access Memory
Alliance Semiconductor
コンポーネント説明 : 5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)
Alliance Semiconductor
コンポーネント説明 : 5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)