BAS40W データシートの表示（PDF） - Diode Semiconductor Korea

部品番号

コンポーネント説明

一致するリスト

BAS40W

Surface Mount Schottky Barrier Diode

Diode Semiconductor Korea 

Diode Semiconductor Korea

Surface Mount Schottky Barrier Diode BAS40W/-04/-05/-06

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Reverse breakdown voltage

Reverse voltage leakage current

Forward voltage

Diode capacitance

Symbol

V(BR)R

IR

VF

CD

Test conditions

IR= 10μA

VR=30V

IF=1.0mA

IF=40mA

VR=0V f=1MHz

MIN MAX UNIT

40

V

200

nA

380

mV

1000

5

pF

Reverse recovery time

trr

IF=IR=10mA RL=100Ω

5

nS

TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

www.diode.kr

Share Link: