BC848W データシートの表示（PDF） - Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

部品番号

コンポーネント説明

一致するリスト

BC848W

Silicon NPN transistor in a SOT-323 Plastic Package

Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 

BC848W

Rev.F Mar.-2016

极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)

参数

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current- Continuous

Peak Collector Current - Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

符号

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

IC

ICM

PC

Tj

Tstg

DATA SHEET

数值

Rating

30

30

5.0

100

200

200

150

-55～150

单位

Unit

V

V

V

mA

mA

mW

℃

℃

电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)

参数

Parameter

Collector Cut-Off Current

Emitter to Base Current

DC Current Gain

Collector to Emitter Saturation

Voltage

Base to Emitter Saturation

Voltage

Base to Emitter Voltage

Transition Frequency

Collector Capacitance

Noise Figure

符号

Symbol

测试条件

Test Conditions

ICBO VCB=30V IE=0

IEBO VEB=5.0V IC=0

hFE(1) VCE=5.0V IC=2.0mA

hFE(2) VCE=5.0V IC=10μA

VCE(sat)(1) IC=10mA

IB=0.5mA

VCE(sat)(2) IC=100mA IB=5.0mA

VBE(sat)(1) IC=10mA

IB=0.5mA

VBE(sat)(2) IC=100mA IB=5.0mA

VBE(1) VCE=5.0V IC=2.0mA

VBE(2)

fT

CC

NF

VCE=5.0V

VCE=5.0V

f=100MHz

VCB=10V

f=1.0MHz

IC=200μA

RS=2KΩ

B=200HZ

IC=10mA

IC=10mA

IE=ie=0

VCE=5.0V

f=1.0KHZ

最小值 典型值 最大值

Min Typ Max

0.015

0.1

110

800

150

0.09 0.25

0.2 0.6

0.7

0.9

0.58 0.66 0.7

0.77

单位

Unit

μA

μA

V

V

V

V

V

V

100

MHz

3.0

pF

10

dB

http://www.fsbrec.com

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