BC560 データシートの表示（PDF） - Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

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コンポーネント説明

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BC560

Silicon PNP transistor in a TO-92(R) Plastic Package

Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 

BC560

Rev.E Mar.-2016

DATA SHEET

极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)

参数

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current - Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

符号

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

IC

PC

Tj

Tstg

数值

Rating

-50

-45

-5.0

-100

625

150

-55～150

单位

Unit

V

V

V

mA

mW

℃

℃

电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)

参数

Parameter

Collector to Emitter Breakdown

Voltage

Collector to Base Breakdown

Voltage

Emitter to Base Breakdown

Voltage

Collector Cut-Off Current

DC Current Gain

Collector-Emitter Saturation

Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

Transition Frequency

Current Gain Bandwidth Product

Noise Figure

符号

Symbol

测试条件

Test Conditions

VCEO IC=-10mA IB=0

最小值 典型值 最大值 单位

Min Typ Max Unit

-45

V

VCBO IC=-10μA IE=0

-50

V

VEBO IE=-10μA IC=0

-5.0

V

ICBO VCB=-30V IE=0

hFE VCE=-5.0V IC=-2.0mA 110

-0.015 μA

450

VCE(sat) IC=-100mA IB=-5.0mA

-0.6 V

VBE(sat) IC=-100mA IB=-5.0mA

-0.9

VBE(on) VCE=-5.0V IC=-2.0mA -0.55

fT

VCE=-5.0V IC=-10mA

f=100MHz

300

Cob

VCB=-10V

f=1.0MHz

IE=0

NF

VCE=-5.0V Rg=10KΩ

IC=-200μA f=1.0KHz

V

-0.7 V

MHz

7.0 pF

4.0 dB

http://www.fsbrec.com

2/6

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