2SK522 データシートの表示（PDF） - Hitachi -> Renesas Electronics

部品番号

コンポーネント説明

一致するリスト

2SK522

Silicon N-Channel Junction FET

Hitachi -> Renesas Electronics 

2SK522

SG Output

Impedance

Power Gain and Noise Figure

Test Circuit

5.4 Shield D.U.T. 3.0

50

C1

S.G.

L1 C2

L2 4,700

1,000 50

V.V

Unit R : Ω

VDD

C : pF

C1, C2 : 0 to 30pF Max Variable Air

L1 : 3.5 T φ1 mmφ Copper Ribbon, Tin plated 10 mm Inside dia.

L2 : 4.5 T φ1 mmφ Copper Ribbon, Tin plated 10 mm Inside dia.

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