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BUW13F データシートの表示(PDF) - Philips Electronics
部品番号
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BUW13F
Silicon diffused power transistors
Philips Electronics
BUW13F Datasheet PDF : 16 Pages
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Philips Semiconductors
Silicon diffused power transistors
Product specification
BUW13F; BUW13AF
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
t
f
fall time
BUW13F
BUW13AF
I
Con
= 10 A; I
B
= 2 A;
V
CL
= 250 V; T
c
= 100
°
C
I
Con
= 8 A; I
B
= 1.6 A;
V
CL
= 300 V; T
c
= 100
°
C
Note
1. Measured with a half-sinewave voltage (curve tracer).
MIN. TYP. MAX. UNIT
−
200
300
ns
−
200
300
ns
handbook
1
,
2
h
0
alfpage
Ptot
max
(%)
80
MGK674
40
0
0
50
100
Th (
o
C)
150
Fig.2 Power derating curve.
handbook,
2
h
0
alfpage
IC
(A)
10
MGB896
BUW13F
BUW13AF
0
0
400
800
VCE (V)
1200
T
c
≤
100
°
C; V
BE
=
−
1 to
−
5 V.
Fig.3 Reverse bias SOAR.
1997 Aug 13
5
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