GP250MHB06S データシートの表示（PDF） - Dynex Semiconductor

部品番号

コンポーネント説明

一致するリスト

GP250MHB06S

Half Bridge IGBT Module

Dynex Semiconductor 

GP250MHB06S

1000

100

Diode

Transistor

10

1

0.001

0.01

0.1

1

10

Pulse width, tp - (s)

Fig.15 Transient thermal impedance

8/10

Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures.

www.dynexsemi.com

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