BPW33 データシートの表示（PDF） - Siemens AG

部品番号

コンポーネント説明

一致するリスト

BPW33

Silicon Photodiode

Siemens AG 

BPW 33

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Description

Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature range

Sperrspannung

Reverse voltage

Verlustleistung, TA = 25 °C

Total power dissipation

Symbol

Symbol

Top; Tstg

VR

Ptot

Wert

Value

– 40 ... + 85

Einheit

Unit

°C

7

V

150

mW

Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)

Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)

Bezeichnung

Description

Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V

Spectral sensitivity

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von Smax

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of Smax

Bestrahlungsempfindliche Fläche

Radiant sensitive area

Abmessung der bestrahlungsempfindlichen

Fläche

Dimensions of radiant sensitive area

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-

fläche

Distance chip front to case surface

Halbwinkel

Half angle

Dunkelstrom, VR = 1 V

Dark current

Nullpunktsteilheit, E = 0

Zero crossover

Symbol

Symbol

S

λS max

λ

A

L×B

L×W

H

ϕ

IR

S0

Wert

Value

75 (≥ 35)

Einheit

Unit

nA/Ix

800

nm

350 ... 1100 nm

7.34

2.71 × 2.71

mm2

mm × mm

0.5

mm

± 60

20 (≤ 100)

≤ 2.5

Grad

deg.

pA

pA/mV

Semiconductor Group

2

1997-11-19

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