PDMB150B12C データシートの表示（PDF） - Nihon Inter Electronics
部品番号
コンポーネント説明
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PDMB150B12C Datasheet PDF : 3 Pages
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ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ
(C2E1)
(E2)
1
2
7(G2)
6(E2)
(C1)
3
5(E1)
4(G1)
１５０ Ａ，１２００Ｖ
QS043-401M0060 (2/4)
ＰＤＭＢ１５０Ｂ１２Ｃ
ＰＤＭＢ１５０Ｂ１２Ｃ２
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
3-M6
108
93 ± 0 .2 5
14 11 14 11 14
4-Ø 6.5
1
2
3
7
6
94.0
80 ±0.25
12.0 11.0 12.0 11.0 12.0
1
2
3
2-Ø6.5
7
6
5
5
4
4
25
25
24
16 9 16 9 16
3-M5
23.0
23.0 17.0
14 9 14 9 14
4-fasten tab
#110 t=0.5
LABEL
LABEL
PDMB150B12C
PDMB150B12C2
Dimension:［mm］
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ＶＣＥＳ
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
ＶＧＥＳ
コレクタ電流
Ｃollector Ｃurrent
コレクタ損失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
ＤＣ
１ｍｓ
ＩＣ
ＩＣＰ
ＰＣ
接合温度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
Ｔｊ
保存温度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
Ｔｓｔｇ
絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage
ＶＩＳＯ
締 め 付 け ト ル ク Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
Ｍounting Ｔorque
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
Ｆｔｏｒ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
１，２００
Ｕｎｉｔ
Ｖ
±２０
Ｖ
１５０
Ａ
３００
７３０
Ｗ
－４０～＋１５０
℃
－４０～＋１２５
℃
PDMB150B12C
２,５００
Ｖ（ＲＭＳ）
３（３０.６）
Ｎ・ｍ
３（３０.６） PDMB150B12C2 ２（２０.４） (kgf･cm)
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
コレクタ遮断電流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ＩＣＥＳ
ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V
－
－
３.０
ｍＡ
ゲート漏れ電流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
ＩＧＥＳ
ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V
－
－
１.０
μＡ
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 150A,ＶＧＥ= 15V
－
１.９ ２.４
Ｖ
ゲ ー ト しきい値電圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
ＶＧＥ（ｔｈ）
ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 150mA
４.０
－
８.０
Ｖ
入力容量
Ｉnput Ｃapacitance
Ｃｉｅｓ
ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ
－
12,600
－
ｐＦ
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
上昇時間
ターンオン時間
下降時間
ターンオフ時間
Ｒise Ｔime
Ｔurn-on Ｔime
Ｆall Ｔime
Ｔurn-off Ｔime
ｔｒ
ｔｏｎ
ｔｆ
ｔｏｆｆ
ＶＣＣ= 600V
ＲL= 4Ω
ＲG= 3.6Ω
ＶＧＥ= ±15V
－
０.２５ ０.４５
－
０.４０ ０.７０
μｓ
－
０.２５ ０.３５
－
０.８０ １.１０
□フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
Ｕｎｉｔ
順
電
流
Ｆorward Ｃurrent
ＤＣ
１ｍｓ
ＩＦ
ＩＦＭ
１５０
Ａ
３００
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆回復時間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
ＶＦ
ｔｒｒ
ＩＦ= 150A,ＶＧＥ= 0V
ＩＦ= 150A,ＶＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 300A/μs
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
熱
抵
抗
Ｔhermal Ｉmpedance
ＩＧＢＴ
Ｄiode
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｒth(j-c) Junction to Case
Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
－
１.９ ２.４
Ｖ
－
０.２ ０.３
μｓ
Ｍｉｎ.
－
－
Ｔｙｐ.
－
－
Ｍａｘ.
０.１６
０.３２
Ｕｎｉｔ
℃／Ｗ
日本インター株式会社
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