P4C164L-100P3ILF データシートの表示（PDF） - Semiconductor Corporation

部品番号

コンポーネント説明

一致するリスト

P4C164L-100P3ILF

LOW POWER 8K x 8 STATIC CMOS RAM

Semiconductor Corporation 

P4C164L

DATA RETENTION CHARACTERISTICS

Symbol

Parameter

Test Condition

Min

VDR

ICCDR

VCC for Data Retention

Data Retention Current

tCDR

Chip Deselect to

Data Retention Time

tR†

Operation Recovery Time

*TA = +25°C

§tRC = Read Cycle Time

†This parameter is guaranteed but not tested.

2.0

CE

1

≥

VCC

–

0.2V

or

CE2 ≤ 0.2V, VIN ≥ VCC – 0.2V 0

or VIN ≤ 0.2V

tRC§

Typ.*

VCC=

2.0V 3.0V

1

1

Max

VCC=

Unit

2.0V 3.0V

V

3

3

µA

ns

ns

DATA RETENTION WAVEFORM

Document # SRAM116 REV B

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