MCH5818 データシートの表示（PDF） - SANYO -> Panasonic
部品番号
コンポーネント説明
一致するリスト
MCH5818 Datasheet PDF : 5 Pages
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MCH5818
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
[MOSFET]
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
[SBD]
Reverse Voltage
Forward Voltage
Reverse Current
Interterminal Capacitance
Reverse Recovery Time
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
yfs
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
VR
VF1
VF2
IR
C
trr
ID=--1mA, VGS=0
VDS=--12V, VGS=0
VGS=±9.6V, VDS=0
VDS=--6V, ID=--1mA
VDS=--6V, ID=--0.8A
ID=--0.8A, VGS=--10V
ID=--0.4A, VGS=--4.5V
ID=--0.1A, VGS=--4V
VDS=--6V, f=1MHz
VDS=--6V, f=1MHz
VDS=--6V, f=1MHz
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--1.5A
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--1.5A
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--1.5A
IS=--1.5A, VGS=0
IR=0.5mA
IF=0.3A
IF=0.5A
VR=6V
VR=10V, f=1MHz, 1 cycle
IF=IR=100mA, See specified Test Circuit.
Ratings
Unit
min
typ
max
--12
--1.0
0.9
1.4
200
340
370
145
45
35
7.5
20
16
12
3.8
0.5
0.5
--0.94
V
--1 µA
±10 µA
--2.4
V
S
270 mΩ
490 mΩ
530 mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
--1.5
V
15
V
0.35
0.41
V
0.4
0.46
V
200 µA
20
pF
10 ns
Package Dimensions
unit : mm
2195
0.3
0.15
4
5
3 21
0.65
2.0
(Bottom view)
5
4
1 23
(Top view)
1 : Gate
2 : Source
3 : Anode
4 : Cathode
5 : Drain
SANYO : MCPH5
Electrical Connection
5
4
1 : Gate
2 : Source
3 : Anode
4 : Cathode
5 : Drain
1
2
3
Top view
No.7754-2/5
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