D965-TO-92 データシートの表示（PDF） - Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
部品番号
コンポーネント説明
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D965-TO-92 Datasheet PDF : 3 Pages
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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
D965 TRANSISTOR（ NPN ）
TO— 92
FEATURES
Power dissipation
PCM : 0.75 W（Tamb=25℃）
Collector current
ICM : 5
A
Collector-base voltage
V(BR)CBO : 42
V
Operating and storage junction temperature range
TJ，Tstg: -55℃ to +150℃
1.EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
123
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃ unless otherwise specified）
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-base breakdown voltage
V(BR)CBO
Ic=1ｍA， IE=0
42
V
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Ic= 1 mA， IB=0
22
V
Emitter-base breakdown voltage
V(BR)EBO
IE= 10 μA， IC=0
6
Collector cut-off current
ICBO
VCB= 30 V , IE=0
V
0.1 μA
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
IEBO
HFE（1）
HFE（2）
HFE（3）
VCE(sat)
VEB= 6 V， IC=0
VCE= 2 V, IC= 0.15
mA
150
VCE= 2V, IC = 500 m A
340
VCE= 2V, IC = 2000
mA
150
IC=3000mA,IB=100 mA
0.1 μA
950
0.35 V
CLASSIFICATION OF HFE(2)
Rank
Range
R
340-600
T
560-950
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