BSP320S データシートの表示（PDF） - Siemens AG
部品番号
コンポーネント説明
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BSP320S Datasheet PDF : 8 Pages
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BSP 320 S
Drain-source on-resistance
RDS (on) = ƒ(Tj)
parameter: ID = 2.9 A, VGS = 10 V
0.32
Ω
RDS (on)
0.24
0.20
0.16
98%
0.12
typ
0.08
0.04
0.00
-60
-20
20
60
100 °C 160
Tj
Gate threshold voltage
VGS(th) = f ( Tj)
parameter:VGS=VDS, ID =20µA
5.0
V
4.4
VGS(th) 4.0
3.6
3.2
2.8
2.4
max
2.0
1.6
typ
1.2
0.8
min
0.4
0.0
-60 -20 20 60 100 140 V 200
Tj
Typ. capacitances
C = f (VDS)
parameter:VGS=0V, f = 1 MHz
10 3
Forward characteristics of reverse diode
IF = ƒ(VSD)
parameter: Tj, tp = 80 µs
10 2
C
pF
A
IF
Ciss
10 1
10 2
Coss
Crss
10 1
0
5 10 15 20 25 30 V 40
VDS
Semiconductor Group
7
10 0
Tj = 25 °C typ
Tj = 150 °C typ
Tj = 25 °C (98%)
Tj = 150 °C (98%)
10 -1
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 V 3.0
VSD
29/01/1998
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