RD30HVF1-101 データシートの表示（PDF） - MITSUBISHI ELECTRIC
部品番号
コンポーネント説明
一致するリスト
RD30HVF1-101 Datasheet PDF : 8 Pages
| |||
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
MITSUBISHI RF POWER MOS FET
RD30HVF1
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W
f=175MHz Zout
Zo=10Ω
f=135MHz Zout
f=146MHz Zout
f=175MHz Zin
f=135MHz Zin
f=146MHz Zin
Zin , Zout
f
(MHz)
135
146
175
Zin
(ohm)
0.71-j7.67
0.94-j6.46
0.53-j5.34
Zout
(ohm)
1.72-j0.86
2.12-j0.78
1.87-j0.70
Conditions
Po=40W, Vdd=12.5V,Pin=1.0W
Po=38W, Vdd=12.5V,Pin=1.0W
Po=35W, Vdd=12.5V,Pin=1.0W
RD30HVF1
MITSUBISHI ELECTRIC
6/8
10 Jan 2006
Share Link: 