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DG306AE25(2000) データシートの表示(PDF) - Dynex Semiconductor
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コンポーネント説明
一致するリスト
DG306AE25
(Rev.:2000)
Gate Turn-off Thyristor
Dynex Semiconductor
DG306AE25 Datasheet PDF : 19 Pages
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Next
Last
1000
750
Conditions:
T
j
= 125˚C,
V
DM
= 1500V
dI
GQ
/dt = 15A/µs
DG306AE25
500
250
0
0.075
0.5
1.0
1.5
2.0
Snubber capacitance Cs - (µF)
Fig.3 Dependence of I
TCM
on Cs
dc
0.050
0.025
0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
Time - s
Fig.4 Maximum (limit) transient thermal impedance - double side cooled
12.5
10.0
7.5
5.0
2.5
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
Pulse duration - (s)
Fig.5 Surge (non-repetitive) on-state current vs time
5/19
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