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1SV304TPH3F データシート - Toshiba

部品番号コンポーネント説明メーカー
1SV304TPH3F Silicon Epitaxial Planar Type Variable Capacitance Diode Toshiba
Toshiba Toshiba
1SV304TPH3F PDF データシート : 1SV304TPH3F pdf   
1SV304 image

VCO for VHF Band Radio

• Small package
• High capacitance ratio: C1 V/C4 V = 3.0 (typ.)
• Low series resistance: rs = 0.27 Ω (typ.)


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1SV304 Silicon Epitaxial Planar Type Variable Capacitance Diode 1SV304 View TY Semiconductor
KDV153 VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON DIODE EPITAXIAL PLANAR DIODE KDV153 View KEC
KDV239E VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE KDV239E View KEC
KDV257E VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE KDV257E View KEC
KDV245E VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE KDV245E View KEC
KDV273UL VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE KDV273UL View KEC
KDV258E VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE KDV258E View KEC
KDV245 VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE KDV245 View KEC
KDV262E VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE KDV262E View KEC
KDV241E VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE KDV241E View KEC

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